Технологии быстрой энергонезависимой памяти на сегодняшний день представлены преимущественно различными версиями NAND-микросхем, а также 3D XPoint. Но этим всё не ограничивается.
Компания GlobalFoundries сообщила о совместном проекте с Сингапурским технологическим университетом Nanyang и Национальным исследовательским фондом. В рамках соглашения планируется разработать коммерческую версию встраиваемой резистивной оперативной памяти или ReRAM. Как отмечается, работы займут четыре года и обойдутся в 88 миллионов долларов.
Новая память должна лечь в основу кэша большого объёма и обеспечить высокую скорость обмена данными для тех чипов, где требуется быстрая и ёмкая память. На текущий момент в этом качестве используется eFlash, однако такой тип памяти имеет ряд ограничений и сложностей в производстве. Альтернативой является магниторезистивная ОЗУ (MRAM), а также ReRAM.
Отметим, что такой тип памяти может использоваться не только в качестве встроенной ОЗУ. В Western Digital экспериментируют с ReRAM в качестве долговременного энергонезависимого хранилища по аналогии с Optane DC.
Появление коммерческих версий GlobalFoundries стоит ожидать только к середине десятилетия. Скорее всего, вариант WD появится примерно тогда же.
