Компания SK Hynix сообщила об успешном завершении работы над 16-гигабитными микросхемами памяти DDR5. Они, как утверждается, соответствуют требованиям комитета JEDEC. Их начнут производить в 2020 году.
По данным компании, скорость передачи у микросхем DDR5 составляет 5200 Мбит/с на контакт, напряжение — 1,1 В. Для сравнения, скорость памяти DDR4 в максимуме составляет 3200 Мбит/с, хотя это характерно лишь для топовых комплектов.
Также в Hynix представили первый модуль RDIMM DDR5-5200 на основе новых чипов. Его пропускная способность составляет 41,6 Гбайт/с. Такой показатель на DDR4 возможен лишь в случае экстремального разгона. При этом планки уже отправлены некоему «крупному производителю чипсетов», что позволит разработать новый тип платформ с поддержкой памяти DDR5.
Напомним, что ранее та же Hynix сообщила о разработке 10-нанометровых чипов для памяти DDR4 со скоростью в 3200 Мбит/с.
