Ассоциацией JEDEC были опубликованы обновлённые спецификации стандарта памяти типа High Bandwidth Memory (HBM). В новой версии спецификаций предполагается более высокая пропускная способность и увеличенный объём памяти.
Новый стандарт подразумевает, что стеки памяти типа HBM теперь могут быть сформированы в том числе из двенадцати чипов. Ранее допускались только два, четыре или восемь. Это позволило увеличить ёмкость стека с 16 до 24 ГБ, поскольку ёмкость одного кристалла максимально составляет 16 Гбит или 2 ГБ. Минимум стека не изменился и по-прежнему равен 1 ГБ.
Также повысилась пропускная способность на контакт — с 2 до 2,4 Гбит/сек. Это обеспечивает рост скорости стека до 307 Гбайт/с при ширине шины в 1024 бита. Ранее этот показатель составлял 256 Гбайт/с.
Отметим, что памяти HBM и HBM2 используются в мощных видеокартах, где важна скорость обмена данными. При этом система обеспечивает более высокую скорость при меньшем энергопотреблении, чем в случае DDR4 и GDDR5.
