Компания Samsung сообщила о начале массового внедрения магниторезистивной памяти MRAM. Полупроводниковый гигант намерен производить микросхемы eMRAM для микроконтроллеров, устройств «интернета вещей», систем искусственного интеллекта и так далее.
Как ожидается, новая память придёт на смену встраиваемой флэш-памяти eFlash и обеспечит ряд преимущество. В частности, eMRAM не нужно стирать перед записью, что ускоряет процесс примерно в тысячу раз. Кроме того, новая память работает при более низком напряжении, а также не требует регенерации записанных данных.
Сами микросхемы будут производиться по 28-нанометровой технологии FD-SOI. Утверждается, что до конца этого года ёмкость одной микросхемы вырастет до 1 ГБ. При этом отметим, что ранее Intel заявила о готовности запустить производство магниторезистивной оперативной памяти STT-MRAM по техпроцессу FinFET с размером транзистора в 22 нанометра. Таким образом, в ближайшие годы возможно появление твердотельных накопителей на новой памяти, а также её внедрение во всех устройствах.
К слову, в Intel пока не сообщают о сроках начала производства и поставок новой памяти. Очевидно, что Samsung в данном случае сыграла на опережение.
