SK Hynix анонсировала память HBM2E с рекордной пропускной способностью

Компания SK Hynix сообщила о том, что разработала микросхемы памяти HBM2E, которые вдвое более ёмкие и в полтора раза быстрее, чем HBM2. Микросхемы этой памяти основаны на восьми 16-гигабитных (2 ГБ) слоях. Скорость обмена данными составляет 460 ГБ/сек (при наличии 1024-битного интерфейса). Начало производства запланировано на 2020 год.

Как отмечается, такая память должна будет использоваться в системах искусственного интеллекта и машинного обучения, ресурсоёмких вычислениях и топовых графических ускорителях. Как утверждается, карты такого типа получат до 64 ГБ vRAM с пропускной способностью в 1840 ГБ/с. Очевидно, что такие ресурсы потребуются также в системах виртуальной реальности.

Напомним, что в начале года компания начала разработку ещё и оперативной памяти нового типа. Речь идёт о DDR6, хотя пока на рынке не появилось ещё и DDR5. Производство запланировано также на 2020 год.

Таким образом, можно ожидать резкого ускорения компьютеров, систем виртуальной реальности и искусственного интеллекта. Хотя это потребует разработки и новых процессоров. А что вы думаете о новой видеопамяти Hynix? Пишите в комментариях.

Оцените статью
( Пока оценок нет )
Новости дня
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!:

SK Hynix анонсировала память HBM2E с рекордной пропускной способностью
Тапочки для Тирана и стринги для Леона: моддеры меняют Resident Evil 2
Adblock
detector