Ещё летом SK Hynix объявила о скором начале производства 128-слойной памяти NAND Flash. Теперь же появились инженерные образцы микросхем памяти ёмкостью 1 Тбит типа UFS 3.1. Эта память ляжет в основу коммерческих и корпоративных SSD-накопителей.
Память найдёт применение в смартфонах, SSD форм-фактора M.2 2280 ёмкостью до 2 ТБ и так далее. В продажу готовые изделия поступят в начале 2020 года.
В новых накопителях применяется фирменный контроллер, а в UFS 3.1 задействована технология Write Booster, удваивающая скорость линейной записи. Это позволяет скопировать фильм «весом» в 15 ГБ за двадцать секунд. В цифрах же скорость последовательной передачи данных заявлена на уровне 1200 МБ/сек.
Отдельно отмечается, что новинкам хватит напряжения в 1,2 В, то есть общая мощность составляет всего 3 Вт (у предыдущей модели она равна 6 Вт).
А SSD корпоративного уровня в форм-факторе E1.L может похвастаться объёмом 16 ТБ. Он поддерживает скорость последовательного чтения на уровне 3400 МБ/сек, а скорость записи — 3000 МБ/сек. Они выйдут в продажу во второй половине 2020 года. Цены не уточняются.
