SK Hynix представила готовые SSD на 128-слойных чипах 3D NAND

Ещё летом SK Hynix объявила о скором начале производства 128-слойной памяти NAND Flash. Теперь же появились инженерные образцы микросхем памяти ёмкостью 1 Тбит типа UFS 3.1. Эта память ляжет в основу коммерческих и корпоративных SSD-накопителей.

Память найдёт применение в смартфонах, SSD форм-фактора M.2 2280 ёмкостью до 2 ТБ и так далее. В продажу готовые изделия поступят в начале 2020 года.

В новых накопителях применяется фирменный контроллер, а в UFS 3.1 задействована технология Write Booster, удваивающая скорость линейной записи. Это позволяет скопировать фильм «весом» в 15 ГБ за двадцать секунд. В цифрах же скорость последовательной передачи данных заявлена на уровне 1200 МБ/сек.

Отдельно отмечается, что новинкам хватит напряжения в 1,2 В, то есть общая мощность составляет всего 3 Вт (у предыдущей модели она равна 6 Вт).

А SSD корпоративного уровня в форм-факторе E1.L может похвастаться объёмом 16 ТБ. Он поддерживает скорость последовательного чтения на уровне 3400 МБ/сек, а скорость записи — 3000 МБ/сек. Они выйдут в продажу во второй половине 2020 года. Цены не уточняются.

Оцените статью
( Пока оценок нет )
Новости дня
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!:

SK Hynix представила готовые SSD на 128-слойных чипах 3D NAND
Вышло обновление iOS 12.3.1
Adblock
detector