Смартфоны Samsung получат модуль встроенной памяти на 1 ТБ

Samsung сообщила, что готова к выпуску устройств с 1 ТБ встроенной памяти. Южнокорейская компания анонсировала чип eUFS 2.1, способен работать с таким объемом данных.

Система имеет те же размеры, что и модель eUFS 2.1 на 512 гигабайт – 11,5 × 13 мм. Также, Samsung утверждает, что чип позволит осуществлять последовательное чтение с максимальной скоростью 1000 МБ / с, а настуний запись – с 260 МБ / сек.

В начале 2019 года появились слухи, что новая флагманская серия производителя Galaxy S и первый складной смартфон Galaxy F могут получить 1 ТБ ПЗУ. Если в них будет встроен чип eUFS 2.1, то слухи подтвердятся.

Samsung уже рассказала, когда покажет свои новые устройства. Это состоится 20 февраля на мероприятии Galaxy Unpacked 2019 в Сан Франциско и Лондоне.

Оцените статью
( Пока оценок нет )
Новости дня
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!:

Смартфоны Samsung получат модуль встроенной памяти на 1 ТБ
В Нью-Йорке впервые с марта не выявили смертей от COVID-19