Samsung сообщила, что готова к выпуску устройств с 1 ТБ встроенной памяти. Южнокорейская компания анонсировала чип eUFS 2.1, способен работать с таким объемом данных.
Система имеет те же размеры, что и модель eUFS 2.1 на 512 гигабайт – 11,5 × 13 мм. Также, Samsung утверждает, что чип позволит осуществлять последовательное чтение с максимальной скоростью 1000 МБ / с, а настуний запись – с 260 МБ / сек.
В начале 2019 года появились слухи, что новая флагманская серия производителя Galaxy S и первый складной смартфон Galaxy F могут получить 1 ТБ ПЗУ. Если в них будет встроен чип eUFS 2.1, то слухи подтвердятся.
Samsung уже рассказала, когда покажет свои новые устройства. Это состоится 20 февраля на мероприятии Galaxy Unpacked 2019 в Сан Франциско и Лондоне.
