Корпорация Intel готова запустить массовое производство магниторезистивной оперативной памяти SST-MRAM по техпроцессу FinFET с размером транзистора в 22 нанометра. В компании собираются встраивать новую память в разные устройства, в том числе в системы для «интернета вещей». Узнайте можно ли увеличить оперативную память.
SST-MRAM считается одной из наиболее перспективных замен традиционных видом памяти DRAM и NAND. При этом она объединяет в себе их преимущества, сочетая энергонезависимость, высокую скорость обмена данными, устойчивость к высоким температурам и так далее. Отмечается, что память такого типа способна хранить данные на протяжении 10 лет при температуре 200°C. Также каждая ячейка памяти выдерживает более миллиона циклов переключения.
Наконец, по данным профильных СМИ, MRAM-память производства Intel демонстрирует очень низкий показатель брака. При технологии в 22 нанометра процент годных ячеек превышает 99,9%.
Пока что в компании не уточняют сроки выхода коммерческих версий модулей памяти. Также неясно, в каком форм-факторе они будут выполнены, какие планируется использовать интерфейсы подключения и так далее. Также неизвестной остаётся стоимость за ГБ.
